什么是UVLED?UVLED波段都分为哪些?UVLED即紫外发光二极管,是LED的一种,是按照一定的比例集成发光波长为200nm至450nm的大功率LED芯片。
UVV 波长在 390nm 以上。
1、UVLED发光机理:PN结的端电压构成一定势垒,当加正向偏置电压时势垒下降,P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,所以会出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到的能量以光能的形式释放出去。这就是PN结发光的原理。
2、UVLED发光效率:一般称为组件的外部量子效率,其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率,其实就是组件本身的电光转换效率,主要与组件本身的特性(如组件材料的能带、缺陷、杂质)、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子,在经过组件本身的吸收、折射、反射后,实际在组件外部可测量到的光子数目。因此,关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积,就是整个组件的发光效果,也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率,主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构,使电能不易转换成热能,进而间接提高UVLED的发光效率,从而可获得70%左右的理论内部量子效率,但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下,光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的,因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。现在的方法主要是:晶粒外型的改变——TIP结构,表面粗化技术。
3、UVLED电气特性:电流控制型器件,负载特性类似PN结的UI曲线,正向导通电压的极小变化会引起正向电流的很大变化(指数级别),反向漏电流很小,有反向击穿电压。在实际使用中,应选择 。UVLED正向电压随温度升高而变小,具有负温度系数。UVLED消耗功率 ,一部分转化为光能,这是我们需要的。剩下的就转化为热能,使结温升高。散发的热量(功率)可表示为 。
4、UVLED光学特性:UVLED提供的是半宽度很大的单色光,由于半导体的能隙随温度的上升而减小,因此它所发射的峰值波长随温度的上升而增长,即光谱红移,温度系数为+2~3A/ 。UVLED发光亮度L与正向电流。电流增大,发光亮度也近似增大。另外发光亮度也与环境温度有关,环境温度高时,复合效率下降,发光强度减小。
UVLED光源具有高效、节能、环保、低温bai、寿命长等优点:
高效:即开即用,无需预热,可控制产品经过时灯亮,没有产品经过则不亮;
节能:LED光源比汞灯省电80%,(由于传统UV灯是宽波段,而实际用到的只是其中某一个波长,其它的光波都是无用浪费掉,而LED针对不同场合需要,做出单一波长)
环保:传统UV灯含有汞等有害物质,并且发出的短波会使空气中的氧气发生反应生成臭氧,对人体有害,需要加装抽风排气系统
低温:汞灯中无用的波段被产品吸收转化成热量,一些对温度敏感的产品相当不利
寿命长:UVLED光源寿命达20000小时以上,传统UV灯寿命在1000小时左右

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