什么是UVLED？UVLED波段都分为哪些？UVLED即紫外发光二极管，是LED的一种，是按照一定的比例集成发光波长为200nm至450nm的大功率LED芯片。
UVV 波长在 390nm 以上。
1、UVLED发光机理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出去。这就是PN结发光的原理。
2、UVLED发光效率：一般称为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性（如组件材料的能带、缺陷、杂质）、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后，实际在组件外部可测量到的光子数目。因此，关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率，主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高UVLED的发光效率，从而可获得70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的，因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。现在的方法主要是：晶粒外型的改变——TIP结构，表面粗化技术。
3、UVLED电气特性：电流控制型器件，负载特性类似PN结的UI曲线，正向导通电压的极小变化会引起正向电流的很大变化（指数级别），反向漏电流很小，有反向击穿电压。在实际使用中，应选择 。UVLED正向电压随温度升高而变小，具有负温度系数。UVLED消耗功率 ，一部分转化为光能，这是我们需要的。剩下的就转化为热能，使结温升高。散发的热量（功率）可表示为 。
4、UVLED光学特性：UVLED提供的是半宽度很大的单色光，由于半导体的能隙随温度的上升而减小，因此它所发射的峰值波长随温度的上升而增长，即光谱红移，温度系数为+2~3A/ 。UVLED发光亮度L与正向电流。电流增大，发光亮度也近似增大。另外发光亮度也与环境温度有关，环境温度高时，复合效率下降，发光强度减小。
UVLED光源具有高效、节能、环保、低温bai、寿命长等优点：
高效：即开即用，无需预热，可控制产品经过时灯亮，没有产品经过则不亮；
节能：LED光源比汞灯省电80%，（由于传统UV灯是宽波段，而实际用到的只是其中某一个波长，其它的光波都是无用浪费掉，而LED针对不同场合需要，做出单一波长）
环保：传统UV灯含有汞等有害物质，并且发出的短波会使空气中的氧气发生反应生成臭氧，对人体有害，需要加装抽风排气系统
低温：汞灯中无用的波段被产品吸收转化成热量，一些对温度敏感的产品相当不利
寿命长：UVLED光源寿命达20000小时以上，传统UV灯寿命在1000小时左右
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